セッション詳細

[19a-C41-1~11]13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2024年9月19日(木) 9:00 〜 11:45
C41 (ホテル日航新潟 4F)
久保 俊晴(名工大)

[19a-C41-1]Si基板上炭素ドープGaNショットキーバリアダイオードの電流輸送機構の検討

〇平山 祐輔1、清水 真理子3、彦坂 年輝3、名古 肇3、梶原 瑛祐3、布上 真也3、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.東芝)
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[19a-C41-2]界面顕微光応答法によるJSB構造の二次元評価

〇今林 弘毅1、吉村 遥翔1、太田 博2、三島 友義2、塩島 謙次1 (1.福井大院工、2.法政大)
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[19a-C41-3]GaN HEMTの短チャネル効果に及ぼす表面処理の影響

佐野 春樹1、伊東 幸風1、吉田 樹1、〇宮本 恭幸1 (1.東工大)
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[19a-C41-4]極性c面及び非極性m面GaN上MIS界面特性におけるGaNドライエッチング加工の影響

〇吉嗣 晃治1、山田 高寛1、滝口 雄貴1、友久 伸吾1、長永 隆志1、宮本 恭幸2 (1.三菱電機(株)先端総研、2.東工大)
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[19a-C41-5]イオン注入により形成されるドナー型欠陥の起源解明に向けた低ドーズAlイオン注入GaNの実効ドナー密度の深さ方向分布の評価

〇井口 紘子1、堀田 昌宏2、片岡 恵太1、成田 哲生1、渡邉 浩崇2、新田 州吾2、本田 善央2、天野 浩2、須田 淳2 (1.豊田中央研究所、2.名古屋大学)
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[19a-C41-6]正孔捕獲を抑制した高Mg濃度p型GaN MOS構造の熱安定性

〇阪上 優一1、小林 拓真1、冨ケ原 一樹1、野﨑 幹人1、渡部 平司1 (1.阪大院工)
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[19a-C41-7]SiO2堆積後熱処理によるp型GaN MOS界面正孔トラップ生成

〇原 征大1、冨ケ原 一樹1、野崎 幹人1、小林 拓真1、渡部 平司1 (1.阪大院工)
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[19a-C41-8]PECVD-SiO2の成膜温度がp型GaN MOS界面正孔トラップに与える影響

〇原 征大1、小林 拓真1、溝端 秀聡1、野崎 幹人1、渡部 平司1 (1.阪大院工)
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[19a-C41-9]30 W/mm超 X帯InAlGaN-HEMT

〇山田 敦史1、美濃浦 優一1、倉橋 菜緒子1、鎌田 陽一1、多木 俊裕1、佐藤 優1、中村 哲一1 (1.富士通)
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[19a-C41-10]EID AlGaN/GaN MOS-HEMTにおける電極形成後アニールの影響

〇南條 拓真1、古橋 壮之1、綿引 達郎1、大石 敏之2、江川 孝志3 (1.三菱電機株式会社、2.佐賀大、3.名工大)
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[19a-C41-11]マイクロ波整流用GaN HEMT構造ゲーテッドアノードダイオードの整流効率向上に向けた素子構造の検討

〇渡邉 智也1、高橋 英匡1、分島 彰男3、安藤 裕二1,2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.熊大工)
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