[19a-C41-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

9:15 〜 9:30

[19a-C41-2] 界面顕微光応答法によるJSB構造の二次元評価

〇今林 弘毅¹、吉村 遥翔¹、太田 博²、三島 友義²、塩島 謙次¹ (1.福井大院工、2.法政大)

キーワード：

GaNジャンクションバリアショットキー、界面顕微光応答法、二次元評価

ショットキーバリアダイオード(SBD)とp n接合ダイオード(PND)を組み合わせたジャンクションバリア･ショットキー(JBS)構造に対し、界面顕微光応答法(SIPM)を用いて２次元評価を行った．光電流像にPNDにSBDが隣接しているパターンが確認でき、またラインプロファイルではPND領域では信号は均一で、SBD領域では信号が大きいが不均一であることが判明した．本手法を用いればJBSの実デバイスを評価できることを実証した．