[19a-C41-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

9:30 〜 9:45

[19a-C41-3] GaN HEMTの短チャネル効果に及ぼす表面処理の影響

佐野 春樹¹、伊東 幸風¹、吉田 樹¹、〇宮本 恭幸¹ (1.東工大)

キーワード：

GaN、HEMT、表面処理

伝導帯側にピン止めされることが期待される希塩酸と、価電子帯側にピン止めされることが期待されるTMAHでGaN HEMTの表面処理を行った。ゲート長200 nmの素子でのI_d-V_g特性は、希塩酸処理後ドレイン電圧が高くなるとサブスレッショルドの傾きが大きくなる典型的な短チャネル効果を示したが、TMAH処理後は、サブスレッショルド特性のドレイン電圧依存性があまり見られず、傾きが急峻になった。