[19a-C41-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

9:45 〜 10:00

[19a-C41-4] 極性c面及び非極性m面GaN上MIS界面特性におけるGaNドライエッチング加工の影響

〇吉嗣 晃治¹、山田 高寛¹、滝口 雄貴¹、友久 伸吾¹、長永 隆志¹、宮本 恭幸² (1.三菱電機(株)先端総研、2.東工大)

キーワード：

GaN MIS、c面、m面