[19a-C41-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

10:00 〜 10:15

[19a-C41-5] イオン注入により形成されるドナー型欠陥の起源解明に向けた低ドーズAlイオン注入GaNの実効ドナー密度の深さ方向分布の評価

〇井口 紘子¹、堀田 昌宏²、片岡 恵太¹、成田 哲生¹、渡邉 浩崇²、新田 州吾²、本田 善央²、天野 浩²、須田 淳² (1.豊田中央研究所、2.名古屋大学)

キーワード：

窒化物半導体、イオン注入、欠陥

GaNエピタキシャル成長層へSiをイオン注入した後に900-1100℃の熱処理をすることによって、ドナー型欠陥が形成されることが示唆されている。 本発表では、ドナー型欠陥の形成がSiイオン注入特有の現象なのかを調べるため、低ドーズAlイオン注入を行い、熱処理をした試料の実効ドナー密度の深さ 方向分布を評価した。 Alイオン注入後に熱処理をした際にも実効ドナー密度は増加しており、ドナー型欠陥が形成されていることが示唆された。 注入元素に依らずイオン注入後の熱処理によってドナー型欠陥が形成されることから、Siを含まないドナー型欠陥が形成されていると考えられる。