[19a-C41-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

10:15 〜 10:30奨励賞エントリー

[19a-C41-6] 正孔捕獲を抑制した高Mg濃度p型GaN MOS構造の熱安定性

〇阪上 優一¹、小林 拓真¹、冨ケ原 一樹¹、野﨑 幹人¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工)

キーワード：

GaN、MOS、正孔トラップ