[19a-C41-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

10:30 〜 10:45

[19a-C41-7] SiO₂堆積後熱処理によるp型GaN MOS界面正孔トラップ生成

〇原 征大¹、冨ケ原 一樹¹、野崎 幹人¹、小林 拓真¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工)

キーワード：

窒化ガリウム、MOS構造、正孔トラップ