[19a-C41-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

10:45 〜 11:00

[19a-C41-8] PECVD-SiO₂の成膜温度がp型GaN MOS界面正孔トラップに与える影響

〇原 征大¹、小林 拓真¹、溝端 秀聡¹、野崎 幹人¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工)

キーワード：

窒化ガリウム、MOS構造、正孔トラップ