[19a-C42-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

9:30 〜 9:45

[19a-C42-3] 高酸素濃度を有するOVPE-GaN基板のCMP特性

〇中瀬 仁太¹、高見 文宣¹、滝野 淳一¹、隅 智亮¹、岡山 芳央¹ (1.パナHD)

キーワード：

化学機械研磨、酸化物気相成長法、窒化ガリウム

OVPE法で作製されたGaN基板のCMPプロセスを調査した。その結果、コロイダルシリカを用いたCMP後のOVPE-GaN基板の表面粗さはRa = 0.08 nm、研磨速度は1060 nm/hであった。同条件CMPにおけるHVPE-GaN基板の研磨速度は90nm/hであった。OVPE-GaN基板はHVPE-GaN基板よりも高濃度に酸素添加されており高い研磨速度が得られることが示唆された。