セッション詳細

[19a-C42-1~9]15.4 III-V族窒化物結晶

2024年9月19日(木) 9:00 〜 11:30
C42 (ホテル日航新潟 4F)
田中 敦之(名大)、 宇佐美 茂佳(阪大)

[19a-C42-1]Naフラックス法におけるメルトバックを利用した低転位GaN結晶成長における多結晶の低減

〇鷲田 将吾1、今西 正幸1、村上 航介1、宇佐美 茂佳1、丸山 美帆子1、吉村 政志1,2、森 勇介1 (1.阪大院工、2.阪大レーザー研)
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[19a-C42-2]反射X線トポグラフ像の転位スポットサイズによるGaN基板中の貫通転位種の同定

〇兼近 将一1、山口 聡2、岸田 佳大2、伊勢川 和久2、北住 幸介2、木本 康司2 (1.名古屋大学、2.豊田中研)
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[19a-C42-3]高酸素濃度を有するOVPE-GaN基板のCMP特性

〇中瀬 仁太1、高見 文宣1、滝野 淳一1、隅 智亮1、岡山 芳央1 (1.パナHD)
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[19a-C42-4]高キャリア濃度OVPE-GaNの電気化学エッチングに関する特性

〇(B)横井 創吾1、宇佐美 茂佳1、今西 正幸1、隅 智亮2、滝野 淳一2、岡山 芳央2、伊藤 瞭太3、秦 雅彦4、田中 敦之5、本田 善央5、天野 浩5、丸山 美帆子1、吉村 政志6、森 勇介1 (1.阪大院工、2.パナソニックホールディングス(株)、3.住友化学(株)、4.伊藤忠プラスチックス(株)、5.名大未来研、6.阪大レーザー研)
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[19a-C42-5]4H-SiC(000-1)上HVPE-AlN成長における成長前水素アニールがピット形成に与える影響

〇佐藤 嵐士1、村上 尚1 (1.東京農工大院BASE)
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[19a-C42-6]THVPE法による歪緩和InGaN 中間層上InGaN 多重量子井戸成長

〇山田 千帆1、中井 慧1、村上 尚1 (1.東京農工大院BASE)
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[19a-C42-7]ベイズ最適化を活用したGaN薄膜のスパッタ成長

〇齋藤 明紀1、金武 凜樹1、山田 直臣1 (1.中部大学)
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[19a-C42-8]焼結体ターゲットを用いた GaN 薄膜のパルススパッタ成長

〇(M1)野村 航平1、板東 廣朗2、上岡 義弘2、楠瀬 好郎2、召田 雅実2、上向井 正裕1、谷川 智之1、片山 竜二1 (1.阪大院工、2.東ソー株式会社)
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[19a-C42-9]Mg含有GaNスパッタリングターゲットの作製と評価

〇加納 絵梨沙1、板東 廣朗1、三崎 日出彦1、上岡 義弘1、召田 雅実1 (1.東ソー株式会社)
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