セッション詳細
[19a-C42-1~9]15.4 III-V族窒化物結晶
2024年9月19日(木) 9:00 〜 11:30
C42 (ホテル日航新潟 4F)
田中 敦之(名大)、 宇佐美 茂佳(阪大)
[19a-C42-1]Naフラックス法におけるメルトバックを利用した低転位GaN結晶成長における多結晶の低減
〇鷲田 将吾1、今西 正幸1、村上 航介1、宇佐美 茂佳1、丸山 美帆子1、吉村 政志1,2、森 勇介1 (1.阪大院工、2.阪大レーザー研)
[19a-C42-2]反射X線トポグラフ像の転位スポットサイズによるGaN基板中の貫通転位種の同定
〇兼近 将一1、山口 聡2、岸田 佳大2、伊勢川 和久2、北住 幸介2、木本 康司2 (1.名古屋大学、2.豊田中研)
[19a-C42-4]高キャリア濃度OVPE-GaNの電気化学エッチングに関する特性
〇(B)横井 創吾1、宇佐美 茂佳1、今西 正幸1、隅 智亮2、滝野 淳一2、岡山 芳央2、伊藤 瞭太3、秦 雅彦4、田中 敦之5、本田 善央5、天野 浩5、丸山 美帆子1、吉村 政志6、森 勇介1 (1.阪大院工、2.パナソニックホールディングス(株)、3.住友化学(株)、4.伊藤忠プラスチックス(株)、5.名大未来研、6.阪大レーザー研)
[19a-C42-8]焼結体ターゲットを用いた GaN 薄膜のパルススパッタ成長
〇(M1)野村 航平1、板東 廣朗2、上岡 義弘2、楠瀬 好郎2、召田 雅実2、上向井 正裕1、谷川 智之1、片山 竜二1 (1.阪大院工、2.東ソー株式会社)