[19a-C42-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

9:45 〜 10:00奨励賞エントリー

[19a-C42-4] 高キャリア濃度OVPE-GaNの電気化学エッチングに関する特性

〇(B)横井 創吾¹、宇佐美 茂佳¹、今西 正幸¹、隅 智亮²、滝野 淳一²、岡山 芳央²、伊藤 瞭太³、秦 雅彦⁴、田中 敦之⁵、本田 善央⁵、天野 浩⁵、丸山 美帆子¹、吉村 政志⁶、森 勇介¹ (1.阪大院工、2.パナソニックホールディングス(株)、3.住友化学(株)、4.伊藤忠プラスチックス(株)、5.名大未来研、6.阪大レーザー研)

キーワード：

窒化ガリウム、電気化学エッチング、オキサイド気相成長