[19a-C42-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

11:00 〜 11:15

[19a-C42-8] 焼結体ターゲットを用いた GaN 薄膜のパルススパッタ成長

〇(M1)野村 航平¹、板東 廣朗²、上岡 義弘²、楠瀬 好郎²、召田 雅実²、上向井 正裕¹、谷川 智之¹、片山 竜二¹ (1.阪大院工、2.東ソー株式会社)

キーワード：

スパッタリング、窒化物半導体、窒化ガリウム

パルススパッタリング法を用いて焼結体ターゲットを用いたGaN薄膜のホモエピタキシャル成長を行い、スパッタリング条件が及ぼすGaN薄膜の品質への影響について調べた。成長用基板にc面GaNテンプレートを用いて、基板温度550~600 °Cで成長圧力を10 Paで一定とし、供給ガスのN₂/(Ar + N₂)比（分圧比）を変化させその結果を議論する。