[19p-A31-1~18] 17.3 層状物質

16:15 〜 16:30奨励賞エントリー

[19p-A31-11] トンネルFET用高濃度ソース材料のCVT合成における輸送剤選択

〇杉山 紀成¹、森戸 智²、西村 知紀¹、金橋 魁利¹、上野 啓司²、長汐 晃輔¹ (1.東大院工、2.埼玉大院理工)

キーワード：

半導体、遷移金属ダイカルコゲナイド、トンネルFET

トンネルFET実用化に向けた高濃度ソース材料を，CVT合成する際の適切な輸送剤選択を行った．過剰Se，I₂輸送剤，SeCl₄輸送剤の三種類の条件で合成した公称1%Re置換WSe₂に対し，低温PL測定と，高精度ホール効果測定を行い，キャリア密度評価を行った．結果は，SeCl₄輸送剤を用いた場合に1.5×10¹⁹ cm^-3のキャリア密度が得られ，これは低温PL測定から予想される結果と一致した．結果からSeCl₄輸送剤が高濃度ドープに有効である可能性が示唆された．