[19p-A31-1~18] 17.3 層状物質

16:30 〜 16:45奨励賞エントリー

[19p-A31-12] 劈開単層MoS₂のToF-SIMSによるNb不純物均一性評価

〇田中 一樹¹、西村 知紀¹、金橋 魁利¹、上野 啓司²、長汐 晃輔¹ (1.東大工、2.埼玉大理)

キーワード：

二次元材料、半導体、SIMS

CVTによって合成されたNb-doped MoS₂の単層転写フレークにおける不純物均一性をToF-SIMSで評価した。１つのフレークではNbは均一に含まれていたが、フレーク間でのNb濃度の異なりが見られた。