講演情報
[19p-A31-16]hBN基板上多層NbXMo1-XS2/MoS2面内ヘテロ構造の電子輸送特性
〇(M2)戸井田 尚大1、山口 将大1、遠藤 尚彦1、中西 勇介1、渡邊 賢司2、谷口 尚2、長汐 晃輔3、宮田 耕充1 (1.都立大物理、2.物材機構、3.東大工)
キーワード：
二次元半導体ヘテロ構造、type3 バンドアライメント、バンド間トンネリング
遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)の面内ヘテロ構造は、低電圧動作トンネル電界効果トランジスタ(TFET)への応用が期待されている。先行研究ではTFET応用を目指し、シリコン基板上に化学気相成長(CVD)で作製した多層NbxMo1-xS2/MoS2面内ヘテロ構造の電子輸送特性が報告された。さらなる性能向上のために、より清浄かつ平坦な基板上での輸送特性の理解が必要である。本研究では、六方晶窒化ホウ素(hBN)基板上に転写された多層NbxMo1-xS2/MoS2面内ヘテロ構造の輸送特性を調べた。
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