[19p-A31-1~18] 17.3 層状物質

17:30 〜 17:45奨励賞エントリー

[19p-A31-16] hBN基板上多層Nb_XMo_1-XS₂/MoS₂面内ヘテロ構造の電子輸送特性

〇(M2)戸井田 尚大¹、山口 将大¹、遠藤 尚彦¹、中西 勇介¹、渡邊 賢司²、谷口 尚²、長汐 晃輔³、宮田 耕充¹ (1.都立大物理、2.物材機構、3.東大工)

キーワード：

二次元半導体ヘテロ構造、type3 バンドアライメント、バンド間トンネリング

遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)の面内ヘテロ構造は、低電圧動作トンネル電界効果トランジスタ(TFET)への応用が期待されている。先行研究ではTFET応用を目指し、シリコン基板上に化学気相成長(CVD)で作製した多層Nb_xMo_1-xS₂/MoS₂面内ヘテロ構造の電子輸送特性が報告された。さらなる性能向上のために、より清浄かつ平坦な基板上での輸送特性の理解が必要である。本研究では、六方晶窒化ホウ素(hBN)基板上に転写された多層Nb_xMo_1-xS₂/MoS₂面内ヘテロ構造の輸送特性を調べた。