[19p-A31-1~18] 17.3 層状物質

14:30 〜 14:45

[19p-A31-5] 原子状水素化処理によるn型硫化モリブデン薄膜の作製とnチャンネルTFTの高性能化検討

〇李 柯澄¹、許 誠浩¹、土田 正道¹、清水 耕作¹ (1.日大生産工)

キーワード：

二次元材料、硫化モリブデン、薄膜トランジスタ

当研究では、大面積に作製することを目的としてスパッタリング法でMoS₂薄膜を作製している。前回の報告では、薄膜が酸素を0.1％程度含まれていること、また微結晶であることを報告した。さらに第一原理計算より、上記酸素がMoS₂薄膜中に取り込まれた結果、価電子帯直上に電子アクセプタ準位を形成することを明らかにした。今回、p型MoS₂を原子状水素処理することによりn型化させた結果を報告する。