セッション詳細

[19p-A35-1~10]薄膜半導体の結晶化とデバイス応用

2024年9月19日(木) 13:30 〜 17:35
A35 (朱鷺メッセ3F)
岡田 竜弥(琉球大)、 曲 勇作(北大)

[19p-A35-1]オープニング

〇岡田 竜弥1、曲 勇作2 (1.琉大工、2.北大電子研)
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[19p-A35-2]絶縁膜上におけるIV族、III-V族半導体多結晶薄膜の高品位形成

橋本 隆1、梶原 隆司1、茂藤 健太2、山本 圭介2、〇佐道 泰造1 (1.九大システム情報、2.九大総理工)
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[19p-A35-3]高機能半導体薄膜の固相成長とデバイス応用

〇都甲 薫1 (1.筑波大)
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[19p-A35-4]超急速熱処理におけるIV族半導体薄膜の結晶成長とデバイス応用

〇東 清一郎1 (1.広大院先進理工)
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[19p-A35-5]エキシマレーザー結晶化におけるSi膜中の水素の効果

〇部家 彰1、住友 弘二1、松尾 直人1 (1.兵庫県立大工)
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[19p-A35-7]OLED Displayの最先端バックプレーン技術 ~LTPS、LTPOからHMO(高移動度酸化物半導体)へ~

〇津吹 将志1、渡壁 創1、佐々木 俊成1、田丸 尊也1、望月 真里奈1 (1.JDI)
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[19p-A35-8]高信頼性ボトムゲート型水素添加多結晶酸化インジウム薄膜トランジスタ

〇岡本 直樹1、Wang Xiaoqian1、古田 守1 (1.高知工大)
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[19p-A35-9]Highly Reliable Self-Aligned Top-Gate Thin-Film Transistors with Hydrogen-Doped Poly-InOx (InOx:H) channel

〇(DC)Mir Mutakabbir Alom1, Motoki Ando1, Mamoru Furuta1 (1.Kochi Univ. of Tech.)
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[19p-A35-10]クロージング

〇野口 隆1、古田 守2 (1.琉球大学、2.高知工科大)
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