セッション詳細

[19p-A35-1~10]薄膜半導体の結晶化とデバイス応用

2024年9月19日(木) 13:30 〜 17:35
A35 (朱鷺メッセ3F)
岡田 竜弥(琉球大)、 曲 勇作(北大)

[19p-A35-1]オープニング

〇岡田 竜弥1、曲 勇作2 (1.琉大工、2.北大電子研)
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[19p-A35-2]絶縁膜上におけるIV族、III-V族半導体多結晶薄膜の高品位形成

橋本 隆1、梶原 隆司1、茂藤 健太2、山本 圭介2、〇佐道 泰造1 (1.九大システム情報、2.九大総理工)
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[19p-A35-3]高機能半導体薄膜の固相成長とデバイス応用

〇都甲 薫1 (1.筑波大)
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[19p-A35-4]超急速熱処理におけるIV族半導体薄膜の結晶成長とデバイス応用

〇東 清一郎1 (1.広大院先進理工)
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[19p-A35-5]エキシマレーザー結晶化におけるSi膜中の水素の効果

〇部家 彰1、住友 弘二1、松尾 直人1 (1.兵庫県立大工)
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[19p-A35-6]光結晶化技術によるフレキシブル高移動度透明導電膜の実現とそのデバイス応用

〇野本 淳一1 (1.産総研)
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[19p-A35-7]OLED Displayの最先端バックプレーン技術 ~LTPS、LTPOからHMO(高移動度酸化物半導体)へ~

〇津吹 将志1、渡壁 創1、佐々木 俊成1、田丸 尊也1、望月 真里奈1 (1.JDI)
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[19p-A35-8]高信頼性ボトムゲート型水素添加多結晶酸化インジウム薄膜トランジスタ

〇岡本 直樹1、Wang Xiaoqian1、古田 守1 (1.高知工大)
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[19p-A35-9]Highly Reliable Self-Aligned Top-Gate Thin-Film Transistors with Hydrogen-Doped Poly-InOx (InOx:H) channel

〇(DC)Mir Mutakabbir Alom1, Motoki Ando1, Mamoru Furuta1 (1.Kochi Univ. of Tech.)
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[19p-A35-10]クロージング

〇野口 隆1、古田 守2 (1.琉球大学、2.高知工科大)
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