[19p-A35-1~10] 薄膜半導体の結晶化とデバイス応用

15:10 〜 15:40

[19p-A35-5] エキシマレーザー結晶化におけるSi膜中の水素の効果

〇部家 彰¹、住友 弘二¹、松尾 直人¹ (1.兵庫県立大工)

キーワード：

水素化アモルファスシリコン、エキシマレーザアニール、結晶化

水素を含む非晶質Si（a-Si:H）膜のレーザー結晶化における水素の効果について検討した。a-Si:H膜中の水素濃度が増加すると、結晶化率と結晶粒径は増加した。これはSi-H₂結合から水素が放出される際に生じるエネルギーにより結晶核形成・成長が促進されたためであると考えられる。また、高濃度水素層の膜中での位置を変えることで、水素突沸による膜剥離を抑制できた。