[19p-A35-1~10] 薄膜半導体の結晶化とデバイス応用

16:55 〜 17:10奨励賞エントリー

[19p-A35-8] 高信頼性ボトムゲート型水素添加多結晶酸化インジウム薄膜トランジスタ

〇岡本 直樹¹、Wang Xiaoqian¹、古田 守¹ (1.高知工大)

キーワード：

酸化物半導体、薄膜トランジスタ

本研究ではフォトリソグラフィー法を用い、4インチガラス基板上にボトムゲート型の水素添加多結晶酸化インジウム(poly-InO_x:H) TFTを作製した。チャネル保護膜には誘導結合型プラズマ気相成長法（ICP-CVD）にて成膜したSiN_x/SiO₂積層膜を用いた。As-fabから350℃へとT_PFA温度の上昇につれV_thは正へとシフトし、T_PFA=350℃ではV_th=0.58 Vとエンハンスメント型TFTを示した。信頼性に関してはNBTS試験で全くV_thシフト量が見られず極めて優れたNBTS信頼性を示した。