[19p-B1-1~16] 13.3 絶縁膜技術

15:30 〜 15:45奨励賞エントリー

[19p-B1-10] Ge上ゲートスタックの低温（210 °C）形成と界面ダイポール解析

〇鍬釣 一¹、麻生 大聖¹、王 冬²、山本 圭介² (1.九大総理工学府、2.九大総理工研究院)

キーワード：

ゲルマニウム、ゲートスタック、低温プロセス

本研究では、Geゲートスタックの低温形成を試みた。SiO₂/GeO₂構造を有するMOSCAP及びMOSFETを210 ℃のプロセス温度で作製した結果、450 ℃で作製したデバイスと同等の電気特性が得られた。一方で、熱処理温度の低下に伴いフラットバンド電圧の正シフトが確認された。XPS分析結果から、熱処理に伴うGeO_Xの形成がダイポールを発生させ、V_FBシフトに寄与していることが示唆された。