セッション詳細
[19p-B1-1][第56回講演奨励賞受賞記念講演] 深層学習型汎用原子間ポテンシャルによる炭素,窒素含有シリコン酸化膜の弾性特性と原子ネットワーク構造の探索
〇榊間 大輝1、小川 京悟1、宮崎 桜子1、泉 聡志1 (1.東大工)
[19p-B1-3]Si ウェーハ表面酸化モデル (i) α-Quartz -β-Cristobalite「混晶」モデル
〇神山 栄治1,2、末岡 浩治2 (1.グローバルウェーハズ・ジャパン㈱、2.岡山県立大)
[19p-B1-4]Siウェーハ表面酸化モデル (ii) 格子間 Si原子の 放出について
〇神山 栄治1,2、末岡 浩治2 (1.グローバルウェーハズ・ジャパン㈱、2.岡山県立大)
[19p-B1-5]電気容量解析を用いたSiO2/Si構造に対する電磁波照射効果の検討
〇加藤 寛大1、郷矢 崇浩1、涌羅 奨平1、占部 継一郎1、江利口 浩二1 (1.京大院工)
[19p-B1-6]Higher-kに向けたHfO2/ZrO2/HfO2超格子MOS構造のアニール指針
〇神岡 武文1、右田 真司1、松川 貴1、岡田 直也1、太田 裕之1 (1.産総研)
[19p-B1-9]非加熱ALD法を用いたGe上へのゲートスタック低温形成
〇麻生 大聖1、鍬釣 一1、王 冬2、山本 圭介2 (1.九大総理工学府、2.九大総理工研究院)
[19p-B1-10]Ge上ゲートスタックの低温(210 °C)形成と界面ダイポール解析
〇鍬釣 一1、麻生 大聖1、王 冬2、山本 圭介2 (1.九大総理工学府、2.九大総理工研究院)