セッション詳細

[19p-B1-1~16]13.3 絶縁膜技術

2024年9月19日(木) 13:00 〜 17:15
B1 (展示ホールB)
右田 真司(産総研)、 西村 知紀(東大)

[19p-B1-1][第56回講演奨励賞受賞記念講演] 深層学習型汎用原子間ポテンシャルによる炭素,窒素含有シリコン酸化膜の弾性特性と原子ネットワーク構造の探索

〇榊間 大輝1、小川 京悟1、宮崎 桜子1、泉 聡志1 (1.東大工)
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[19p-B1-2]Si酸化における界面から酸化膜へのSi放出と欠陥準位

〇影島 博之1、秋山 亨2、白石 賢二3 (1.島根大、2.三重大、3.名古屋大)
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[19p-B1-3]Si ウェーハ表面酸化モデル (i) α-Quartz -β-Cristobalite「混晶」モデル

〇神山 栄治1,2、末岡 浩治2 (1.グローバルウェーハズ・ジャパン㈱、2.岡山県立大)
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[19p-B1-4]Siウェーハ表面酸化モデル (ii) 格子間 Si原子の 放出について

〇神山 栄治1,2、末岡 浩治2 (1.グローバルウェーハズ・ジャパン㈱、2.岡山県立大)
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[19p-B1-5]電気容量解析を用いたSiO2/Si構造に対する電磁波照射効果の検討

〇加藤 寛大1、郷矢 崇浩1、涌羅 奨平1、占部 継一郎1、江利口 浩二1 (1.京大院工)
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[19p-B1-6]Higher-kに向けたHfO2/ZrO2/HfO2超格子MOS構造のアニール指針

〇神岡 武文1、右田 真司1、松川 貴1、岡田 直也1、太田 裕之1 (1.産総研)
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[19p-B1-7]分子動力学計算によるHfO2/SiO2界面ダイポール層の再現

〇(M2)平井 健太郎1、内藤 真慈1、渡邉 孝信1 (1.早大理工)
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[19p-B1-8]高誘電率材料TiO2を用いたMOS構造に関する研究

〇内田 遥太1、岩崎 好孝1、上野 智雄1 (1.農工大院工)
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[19p-B1-9]非加熱ALD法を用いたGe上へのゲートスタック低温形成

〇麻生 大聖1、鍬釣 一1、王 冬2、山本 圭介2 (1.九大総理工学府、2.九大総理工研究院)
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[19p-B1-10]Ge上ゲートスタックの低温(210 °C)形成と界面ダイポール解析

〇鍬釣 一1、麻生 大聖1、王 冬2、山本 圭介2 (1.九大総理工学府、2.九大総理工研究院)
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[19p-B1-11]硫酸加水を用いたGe基板の低温酸化の検討

〇原田 星輝1、清水 玄1、岩崎 好孝1、上野 智雄1 (1.農工大院工)
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[19p-B1-12]CVD法を用いたGeO2/Ge構造の作製及び及び評価

〇鈴木 拓光1、石塚 啓太1、岩崎 好孝1、上野 智雄1 (1.農工大院工)
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[19p-B1-13]Ge基盤の溶液酸化についての検証

〇清水 玄1、土屋 雄太1、原田 星輝1、並木 美太郎1、岩崎 好孝1、上野 智雄1 (1.農工大院工)
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[19p-B1-14]GeO2膜の結合状態と耐水性の相関についての検証

〇石塚 啓太1、鈴木 拓光1、岩崎 好孝1、上野 智雄1 (1.農工大院工)
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[19p-B1-15]Cu-PMA法のアニール時間変化によるGeO₂/Ge界面特性の変化

〇菅野 航太1、岩崎 好孝1、上野 智雄1、並木 美太郎1 (1.農工大院工)
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[19p-B1-16]N2アニール処理を施したGeO2膜の特性の評価

〇土屋 雄太1、岩崎 好孝1、上野 智雄1 (1.農工大院工)
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