[19p-B1-1~16] 13.3 絶縁膜技術

16:15 〜 16:30

[19p-B1-13] Ge基盤の溶液酸化についての検証

〇清水 玄¹、土屋 雄太¹、原田 星輝¹、並木 美太郎¹、岩崎 好孝¹、上野 智雄¹ (1.農工大院工)

キーワード：

半導体

半導体素子作成プロセスにおいて現在主流である酸化膜成膜手法は基板の大口径化に伴い、均一な膜厚を得ることが難しい。そこで、本研究ではより温度の均一化が可能な溶液酸化法についての検証を行っている。先行研究の水を用いない溶液酸化が可能である結果より、GeO2の低い耐水性を回避した溶液酸化についての検証を行った。結果として、Ge基板に対する絶縁性を有した酸化膜成膜は可能であると結論づけた。