[19p-B1-1~16] 13.3 絶縁膜技術

16:30 〜 16:45

[19p-B1-14] GeO₂膜の結合状態と耐水性の相関についての検証

〇石塚 啓太¹、鈴木 拓光¹、岩崎 好孝¹、上野 智雄¹ (1.農工大院工)

キーワード：

半導体

Ge-MOSで用いられるGeO₂は一般に水溶性を持つという欠点を持つ．この欠点に対し，低温成膜によるイオン性結合割合の低減化をすることでGeO₂が耐水性を獲得することがわかっている．しかし，この手法は酸化膜中の欠陥の存在を前提とするために絶縁性が低いという欠点がある．そこで本研究では耐水性と絶縁性の両立を目的とし，異なる温度での二段階堆積を行い検証を行う．