[19p-B1-1~16] 13.3 絶縁膜技術

17:00 〜 17:15

[19p-B1-16] N₂アニール処理を施したGeO₂膜の特性の評価

〇土屋 雄太¹、岩崎 好孝¹、上野 智雄¹ (1.農工大院工)

キーワード：

アニール、絶縁膜技術、半導体

高移動度を有するGeによるGe-MOSFETの実現には、酸化膜であるGeO₂膜の作製がキーポイントとなる。Ge/GeO₂界面でのGeO脱離などが特性に与える影響が実用上の問題となるためである。本研究は、熱酸化によって成膜したGeO₂膜にアニール処理を施すことによりそうした問題を改善する方法を提案するものである。