[19p-B1-1~16] 13.3 絶縁膜技術

13:15 〜 13:30

[19p-B1-2] Si酸化における界面から酸化膜へのSi放出と欠陥準位

〇影島 博之¹、秋山 亨²、白石 賢二³ (1.島根大、2.三重大、3.名古屋大)

キーワード：

Si酸化、Si放出、第一原理計算

我々は、MOS界面を形成するSi酸化過程において、界面から酸化膜中へ放出されるSi原子に注目。酸化膜中の拡散経路上で一時的に形成される2配位格子間SiOと4配位格子間SiOと呼ぶ構造が仮に酸化膜中に酸化過程後も残留した場合、欠陥準位になるかどうかの検討を第一原理計算によって行った。結果は定性的にα-quartz中のO空孔と同じであるが、しかし定量的には2+/0の遷移がバンドギャップ中央付近で起こることから、MOSデバイス動作の観点からすると深刻な影響を与える可能性があることがわかった。