[19p-B1-1~16] 13.3 絶縁膜技術

14:15 〜 14:30

[19p-B1-6] Higher-kに向けたHfO₂/ZrO₂/HfO₂超格子MOS構造のアニール指針

〇神岡 武文¹、右田 真司¹、松川 貴¹、岡田 直也¹、太田 裕之¹ (1.産総研)

キーワード：

ゲート絶縁膜、高誘電材料