[19p-B3-1~22] 6.2 カーボン系薄膜

15:30 〜 15:45

[19p-B3-10] 熱フィラメントCVD法による超高濃度(>10²² cm^-3)ボロンドープダイヤモンド膜の実現

〇大谷 亮太¹、蔭浦 泰資¹、大曲 新矢¹ (1.産総研)

キーワード：

ダイヤモンド、ボロンドーピング、熱フィラメントCVD

ダイヤモンドデバイスの作製プロセスにおいて、低抵抗コンタクト層の役割を担う高濃度ボロンドープダイヤモンド(BDD)膜の形成は、重要な要素技術の一つである。本研究ではダイヤモンド(001)表面上のBDDホモエピタキシャル成長において、より一層の低抵抗化をねらった超高濃度(>10²² cm^-3)ドーピングを、熱フィラメントCVD法により達成したので報告する。