セッション詳細

[19p-B3-1~22]6.2 カーボン系薄膜

2024年9月19日(木) 13:00 〜 19:15
B3 (展示ホールB)
中村 挙子(産総研)、 嶋岡 毅紘(産総研)、 大曲 新矢(産総研)、 片宗 優貴(九工大)

[19p-B3-1]真空アーク蒸着装置による水素フリーDLC成膜におけるインターバル冷却の効果

〇渡辺 聖也1、佐野 絃貴1、大根田 みらの1、滝川 浩史1、杉田 博昭2、服部 貴大2、儀間 弘樹2 (1.豊橋技科大、2.オーエスジー(株))
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[19p-B3-2]水素フリー硬質DLC膜の高速成膜フィルタードアーク蒸着装置における放電維持

〇佐野 絃貴1、渡辺 聖也1、大根田 みらの1、滝川 浩史1、杉田 博昭2、服部 貴大2、儀間 弘樹2 (1.豊橋技科大、2.オーエスジー(株))
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[19p-B3-3]大電力パルスマグネトロンスパッタリングを用いたDLC 成膜における希ガスの効果

〇松本 詩郎1、小田 昭紀2、針谷 達3、上坂 裕之3、太田 貴之1 (1.名城大理工、2.千葉工大、3.岐阜大工)
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[19p-B3-4]炭素性産業廃棄物粉末のスパッタリングによる水素フリーDLC合成

〇山口 智大1、上坂 裕之1、針谷 達1、諏訪 裕吾2 (1.岐阜大学、2.エムエス製作所)
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[19p-B3-5]レーザ接合による水素化アモルファス炭素膜の構造変化

〇長谷 嘉琉1、Tunmee Sarayut2、青野 祐子1、Rittihong Ukit2、平田 祐樹1、大竹 尚登1、赤坂 大樹1 (1.東工大、2.タイ放射光研究所)
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[19p-B3-6]放電電極近傍への局所ガス投入による円筒部品外面への超高速DLC成膜

〇永井 健登1、針谷 達1、伊藤 暁彦1,2、上坂 裕之1 (1.岐阜大、2.アールシーロゴ)
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[19p-B3-7]リモートプラズマCVD法による単結晶ダイヤモンド成長

〇嶋岡 毅紘1、新田 魁洲1、山田 英明1、坪内 信輝1、茶谷原 昭義1、杢野 由明1 (1.産総研)
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[19p-B3-8]単結晶ダイヤモンド成長表面のin-situ顕微観察

〇新田 魁洲1、嶋岡 毅紘1、山田 英明1、坪内 信輝1、茶谷原 昭義1、杢野 由明1 (1.産総研)
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[19p-B3-9]タングステン原子添加ダイヤモンドエピタキシャル薄膜の応力分布

〇大曲 新矢1、蔭浦 泰資1、大谷 亮太1 (1.産総研センシング)
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[19p-B3-10]熱フィラメントCVD法による超高濃度(>1022 cm-3)ボロンドープダイヤモンド膜の実現

〇大谷 亮太1、蔭浦 泰資1、大曲 新矢1 (1.産総研)
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[19p-B3-11]ダイヤモンドへの高濃度Bイオン注入による低抵抗ドープ層形成における注入時基板温度依存性

〇(M1)今村 海哉1、関 裕平1、星野 靖1 (1.神奈川大理)
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[19p-B3-12]高濃度P+イオン注入によるn型ダイヤモンド半導体形成に向けた研究

〇関 裕平1、今村 海哉1、星野 靖1 (1.神奈川大理)
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[19p-B3-13]ダイヤモンド薄膜中のBeの拡散に対する表層状態の影響の評価

〇三宅 泰斗1、奥野 広樹1、渡邊 幸志1,2 (1.理研仁科センター、2.産総研)
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[19p-B3-14]Niナノ粒子を用いた原子的平坦ダイヤモンド上1次元ナノピット生成

〇林 寛1,2、小林 和樹1、片山 まどか1、金子 雄飛1、市川 公善2、吉川 太朗2,3、松本 翼1,2、猪熊 孝夫1、山崎 聡2、徳田 規夫1,2 (1.金沢大、2.金大ナノマリ、3.(株)ダイセル)
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[19p-B3-15]二峰性粒度分布を持つダイヤモンド粒子を用いた高充填伝熱シートの熱伝導率に電界整列が与える影響

〇久保田 吉彦1、市来 宗一郎1、稲葉 優文1、中野 道彦1、末廣 純也1 (1.九州大)
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[19p-B3-16]微小浮遊電位電極を用いた蛍光ナノダイヤモンド粒子の均質な誘電泳動集積

〇浅野 尚紀1、稲葉 優文1、中野 道彦1、末廣 純也1 (1.九州大学)
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[19p-B3-17]ホウ素ドープダイヤモンド電気化学電極を用いた高圧水中におけるCO2検出

〇井口 誠大1、稲葉 優文1、大曲 新矢2、中野 道彦1、末廣 純也1 (1.九州大、2.産総研)
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[19p-B3-18]Effect of Oxygen Terminal Surface Adsorption Layer on Energy Dissipation in Single-Crystal Diamond MEMS

〇Keyun Gu1,2, Zilong Zhang3, Wen Zhao1, Guo Chen1, Jian Huang2, Satoshi Koizumi1, Yasuo Koide1, Meiyong Liao1 (1.National Institute for Materials Science, 2.Shanghai University, 3.Tohoko University)
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[19p-B3-19]原子的に平坦なAl2O3/ダイヤモンド(111)界面を持つp型反転層MOSFETの作製

〇小林 和樹1、佐藤 解1、加藤 宙光2、小倉 政彦2、牧野 俊晴2、松本 翼1、市川 公善1、林 寛1、猪熊 孝夫1、山崎 聡1、Christoph Nebel1,3、德田 規夫1 (1.金沢大、2.産総研、3.Diacara)
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[19p-B3-20]走査型非線形誘電率顕微鏡によるAl2O3/OHダイヤモンド(111)の局所DLTS/CV特性同時測定

〇山末 耕平1、松本 翼2、德田 規夫2、長 康雄3 (1.東北大通研、2.金沢大ナノマリ研、3.東北大NICHe)
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[19p-B3-21]Al2O3/ダイヤモンドヘテロ接合の結合エネルギーの校正と界面バンドベンディングの解明

〇劉 江偉1、寺地 徳之1、達 博1、小出 康夫1 (1.物材機構)
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[19p-B3-22]SiO2/Al2O3多層膜を用いたダイヤモンドMOS構造
の作成

〇中川 龍一1、斎藤 泰地1、松本 翼2、徳田 規夫2、川江 健1 (1.金沢大理工、2.金沢大ナノマリ研)
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