2024年第85回応用物理学会秋季学術講演会
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15:45 〜 16:00

[19p-B3-11]ダイヤモンドへの高濃度Bイオン注入による低抵抗ドープ層形成における注入時基板温度依存性

〇(M1)今村 海哉1、関 裕平1、星野 靖1 (1.神奈川大理)
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キーワード：

イオン注入、Hall効果、ダイヤモンド半導体

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