2024年第85回応用物理学会秋季学術講演会
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16:00 〜 16:15

[19p-B3-12]高濃度P+イオン注入によるn型ダイヤモンド半導体形成に向けた研究

〇関 裕平1、今村 海哉1、星野 靖1 (1.神奈川大理)
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キーワード：

イオン注入、Hall効果、ダイヤモンド半導体

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