[19p-B3-1~22] 6.2 カーボン系薄膜

18:30 〜 18:45

[19p-B3-20] 走査型非線形誘電率顕微鏡によるAl₂O₃/OHダイヤモンド(111)の局所DLTS/CV特性同時測定

〇山末 耕平¹、松本 翼²、德田 規夫²、長 康雄³ (1.東北大通研、2.金沢大ナノマリ研、3.東北大NICHe)

キーワード：

ダイヤモンド、走査型非線形誘電率顕微鏡、MOS界面

OH終端ダイヤモンド(111)上にALDでAl₂O₃膜を堆積したAl₂O₃/OHダイヤモンド(111)の界面を時間分解走査型非線形誘電率顕微鏡で観察した．同一測定点での微視的DLTS/CV特性測定を行い，界面欠陥密度や表面ポテンシャルゆらぎを反映する2次元分布を同時に得た．空乏状態から蓄積状態に遷移する過程で，界面欠陥への多数キャリア捕獲によりゆらぎが増大する様子を可視化した．この不均一な界面電荷はクーロン散乱を通じてチャネル移動度低下を引き起こし得る．本手法は界面電荷状態の微視的理解とその影響評価に有用である．