[19p-B3-1~22] 6.2 カーボン系薄膜

19:00 〜 19:15

[19p-B3-22] SiO₂/Al₂O₃多層膜を用いたダイヤモンドMOS構造
の作成

〇中川 龍一¹、斎藤 泰地¹、松本 翼²、徳田 規夫²、川江 健¹ (1.金沢大理工、2.金沢大ナノマリ研)

キーワード：

半導体、ダイヤモンド