[19p-B3-1~22] 6.2 カーボン系薄膜

15:15 〜 15:30

[19p-B3-9] タングステン原子添加ダイヤモンドエピタキシャル薄膜の応力分布

〇大曲 新矢¹、蔭浦 泰資¹、大谷 亮太¹ (1.産総研センシング)

キーワード：

ダイヤモンド、不純物、応力

大型熱フィラメントCVD法で合成したダイヤモンド薄膜は、通電加熱したフィラメントワイヤーから供給される金属原子が膜中に混入するが、我々はその現象を積極的に利用した金属援用終端法 (Metal-assisted termination: MAT) を提案した。基板から膜中に伝搬する転位の一部は、金属原子近傍の巨大な歪み空間と相互作用し、その伝搬挙動を大きく変化させている可能性を指摘した。本研究では、単結晶(100)基板上に熱フィラメントCVD法でエピタキシャル成長膜を形成し、次にマイクロ波プラズマCVD法により厚膜の結晶を成長させた、基板／MATバッファ層／高純度エピ膜から成る3層構造の試料を作製し、基板の歪み分布がMATバッファ層によってどのように変化するかを調べた。