[19p-B5-1~16] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

15:30 〜 15:45

[19p-B5-10] 分子線堆積法によるIV族カルコゲナイド薄膜の絶縁膜上成長

〇松村 亮¹、張 秦強¹、馬 博文^1,2、Mahmoud Ahmed^1,2、深田 直樹^1,2 (1.物質・材料研究機構、2.筑波大)

キーワード：

SnS

硫化スズ(SnS_x)や硫化ゲルマニウム(GeS_x)などのIV族カルコゲナイド材料の成長手法として我々は分子線堆積法を検討した。S蒸着源としてプラズマクラッキングセルを用いることで、SnS薄膜の結晶成長を絶縁膜上で実現した。本公演では同手法をGeSxに応用した場合についても報告する。