[19p-B5-1~16] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

13:15 〜 13:30

[19p-B5-2] 選択的イオン注入によるSi(111)上の歪みSiGe/Geへのクラック伝搬抑制

〇溝口 稜太¹、長尾 優希¹、芝原 夕夏¹、相川 茉由¹、山田 道洋¹、浜屋 宏平^2,3、澤野 憲太郎¹ (1.都市大、2.阪大基礎工 CSRN、3.阪大 OTRI)

キーワード：

シリコンゲルマニウム