2024年第85回応用物理学会秋季学術講演会
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13:15 〜 13:30

[19p-B5-2]選択的イオン注入によるSi(111)上の歪みSiGe/Geへのクラック伝搬抑制

〇溝口 稜太1、長尾 優希1、芝原 夕夏1、相川 茉由1、山田 道洋1、浜屋 宏平2,3、澤野 憲太郎1 (1.都市大、2.阪大基礎工 CSRN、3.阪大 OTRI)
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キーワード：

シリコンゲルマニウム

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