[19p-B5-1~16] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

14:45 〜 15:00

[19p-B5-8] 偏析GeSn極薄結晶の形成に向けたGe_1−xSn_xエピタキシャル膜の表面処理

〇松本 泰河¹、大田 晃生²、横川 凌^3,4、黒澤 昌志¹、坂下 満男¹、中塚 理¹、柴山 茂久¹ (1.名大院工、2.福岡大理、3.明治大理工、4.明治大MREL)

キーワード：

偏析、GeSn、表面処理