2024年第85回応用物理学会秋季学術講演会
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15:15 〜 15:30

[19p-B5-9]ポストアニールによるSn添加多結晶Ge薄膜(≤50nm)の粒径欠陥の不動態化

〇橋本 隆1、古賀 泰志郎1、梶原 隆司1、佐道 泰造1 (1.九大システム情報)
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キーワード：

半導体、GeSn

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