[19p-C41-1~24] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

13:00 〜 13:15

[19p-C41-1] SiおよびWにおける低速イオンに対する電子阻止断面積のZ₁振動を再現するEl-Hoshy−Gibbonsモデルの改良と4H-SiCへの適用

〇望月 和浩¹、西村 智朗¹、三島 友義¹ (1.法政大)

キーワード：

半導体、イオン注入、Z1振動