[19p-C41-1~24] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

15:30 〜 15:45奨励賞エントリー

[19p-C41-10] SiO₂/SiC界面発光中心の発光強度の酸化温度・酸素分圧依存性

〇大西 健太郎¹、中沼 貴澄¹、遠山 晴子²、田原 康佐²、朽木 克博²、渡部 平司¹、小林 拓真¹ (1.阪大院工、2.豊田中研)

キーワード：

SiO2/SiC 界面、単一光子源、量子欠陥