[19p-C41-1~24] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

15:45 〜 16:00奨励賞エントリー

[19p-C41-11] SiO₂/SiC界面発光中心の密度に対する熱処理雰囲気及び時間の影響

〇中沼 貴澄¹、田原 康佐²、遠山 晴子²、朽木 克博²、渡部 平司¹、小林 拓真¹ (1.阪大院工、2.豊田中研)

キーワード：

炭化ケイ素、MOS界面、単一光子源