[19p-C41-1~24] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

16:15 〜 16:30奨励賞エントリー

[19p-C41-13] 電子線照射がSiCおよびSi MOSFETのチャネル特性に及ぼす影響

〇(M2)松木 康太郎¹、市川 義人²、小野澤 勇一²、岩室 憲幸¹、矢野 裕司¹ (1.筑波大、2.富士電機)

キーワード：

SiCパワーデバイス、電子線照射、MOS界面

SiC MOSFETに高エネルギー電子線を照射すると、ドリフト層に発生した点欠陥がキャリア寿命を短縮するため、MOSFET内蔵PiNダイオードの逆回復特性が改善される。本研究では、電子線照射がSiC MOSFETのチャネル特性に及ぼす影響を明らかにするため、照射によるしきい値電圧、サブスレッショルドスイング、および相互コンダクタンス（g_m）の変化を中心に解析を行った。また、照射によるg_mの変化は、ドリフト抵抗増大によるものであることを示した。