[19p-C41-1~24] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

16:30 〜 16:45

[19p-C41-14] 4H-SiC MOS反転層における電子状態の界面構造依存性

〇(DC)永溝 幸周¹、田中 一¹、森 伸也¹ (1.阪大院工)

キーワード：

炭化ケイ素、反転層、界面構造

4H-SiC MOS反転層の電子移動度の改善に向けて，反転層中の電子状態の理解を深めることが重要である．4H-SiC(0001)/酸化膜界面近傍で，4H-SiCは，cubic界面構造とhexagonal界面構造とを取りうる．本研究では，これらの界面構造の違いが反転層中の電子状態へ与える影響を調べた．