[19p-C41-1~24] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

16:45 〜 17:00奨励賞エントリー

[19p-C41-15] SiC MOSFETにおける量子閉じ込め効果と界面準位のエネルギー分布に関する考察

〇遅 熙倫¹、伊藤 滉二¹、金子 光顕¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工)

キーワード：

炭化ケイ素、MOSFET、界面準位

SiC MOSFETにおける界面準位密度分布のボディバイアス依存性を調べた。反転層内の量子閉じ込め効果をボディバイアスで制御し、捕獲電子密度がボディバイアスに依存しないことから、界面準位密度分布が反転層内の量子化準位に追随することを実験的に証明した。本結果は、ほとんどの界面準位がSiC側に存在することを示唆する。