[19p-C41-1~24] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

17:45 〜 18:00

[19p-C41-18] 第一原理計算によるNOアニール後のSiC/SiO₂界面の電子状態解析

〇(M1)杉山 耕生¹、舩木 七星斗¹、植本 光治¹、小野 倫也¹ (1.神戸大工)

キーワード：

SiC、第一原理計算、NOアニール

SiC-MOSFETのSiC/SiO₂界面は、バルク中に比べ移動度が低いという問題がある。これを改善する手法としてNOアニールが用いられているが、原子スケールでみた窒化処理のメカニズムはまだ十分に理解されていない。我々は第一原理計算により窒化前後のステップ界面の電子状態を解析し、界面に生じた窒化層によりSiO₂層の影響が遮蔽されることを確認した。さらに今回発表では部分的に窒化されたモデルをもちいた窒素濃度低下の影響についても議論する。