2024年第85回応用物理学会秋季学術講演会
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13:15 〜 13:30

[19p-C41-2]ヘリウムイオン注入によるSiC積層欠陥拡張抑制

〇加藤 正史1、Li Tong1、原田 俊太2、坂根 仁3 (1.名工大、2.名大、3.住重アテックス)

キーワード：

SiC、イオン注入、積層欠陥

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