2024年第85回応用物理学会秋季学術講演会
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18:15 〜 18:30奨励賞エントリー

[19p-C41-20]SiC 表面のプラズマ窒化と絶縁膜堆積により形成した SiO2/SiC 構造に対する後熱処理の効果

〇藤本 博貴1、小林 拓真1、渡部 平司1 (1.阪大院工)
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キーワード：

SiC、MOS、界面準位密度

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