[19p-C41-1~24] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

18:15 〜 18:30奨励賞エントリー

[19p-C41-20] SiC 表面のプラズマ窒化と絶縁膜堆積により形成した SiO₂/SiC 構造に対する後熱処理の効果

〇藤本 博貴¹、小林 拓真¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工)

キーワード：

SiC、MOS、界面準位密度