[19p-C41-1~24] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

18:45 〜 19:00奨励賞エントリー

[19p-C41-22] SiC MOSFETへのゲートACストレス印加による発光としきい値電圧変動

〇(M1)新郷 諒介¹、円城寺 佑哉¹、岩室 憲幸¹、矢野 裕司¹ (1.筑波大)

キーワード：

SiC MOSFET、しきい値電圧変動、ゲートACストレス

SiC MOSFETでは、バイポーラACと呼ばれるMOSFETが蓄積状態と反転状態を繰り返すゲートストレスによる恒久的なしきい値電圧変動が報告されている。この現象のメカニズムを説明するモデルの一つに、バイポーラAC印加時の電子と正孔の再結合に起因する発光が原因と考える光支援ΔV_thモデルがある。本研究では、バイポーラACストレスによる発光現象としきい値電圧変動を調査し、光支援ΔV_thモデルの妥当性を評価した。