[19p-C41-1~24] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

19:00 〜 19:15奨励賞エントリー

[19p-C41-23] 負電圧ゲートストレス印加によるSiC MOSFETのチャネル移動度劣化

〇八軒 慶慈¹、小林 拓真¹、平井 悠久²、染谷 満^1,2、岡本 光央²、渡部 平司¹ (1.阪大院工、2.産総研)

キーワード：

SiC、MOSFET