[19p-C41-1~24] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

13:30 〜 13:45

[19p-C41-3] 水素・ヘリウムイオン注入SiCダイオードにおける点欠陥深さ方向分布

〇加藤 正史¹、Li Tong¹、原田 俊太²、坂根 仁³ (1.名工大、2.名大、3.住重アテックス)

キーワード：

SiC、イオン注入、点欠陥