[19p-C41-1~24] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

15:15 〜 15:30奨励賞エントリー

[19p-C41-9] 広温度範囲に亘るSiO₂/SiC界面発光中心の形成過程の調査

〇(B)兼子 悠¹、中沼 貴澄¹、遠山 晴子²、田原 康佐²、朽木 克博²、渡部 平司¹、小林 拓真¹ (1.阪大工・院工、2.豊田中研)

キーワード：

炭化ケイ素、単一光子源、MOS界面